盖世汽车讯 据外媒报道，荷兰代尔夫特理工大学的研究人员研发了基于紧凑型倒金字塔结构的三轴霍尔效应(Hall-effect)磁传感器，其在磁场探测方面提升了精度并减少了信号干扰。
三轴霍尔效应磁传感器
期刊《微系统amp;纳米工程》最近的一篇论文中详细介绍了该款传感器，其将微机电系统(MEMS)与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术相结合，突破了磁传感器在汽车、工业及消费电子产品领域中的性能限制。此类传感器在汽车系统、工业自动化和消费电子产品等领域中至关重要，不过此种设计将有望进一步提升其性能。
背景
磁传感器在需要位置传感、动作跟踪和角度测量的技术中发挥着至关重要的作用，霍尔效应传感器因具备出色性能以及可与CMOS技术兼容，在该领域中占据主导地位。此类传感器通常分为两类:垂直霍尔器件和平面霍尔器件(PHD)，两种都被设计用于探测不同平面内的磁场。
尽管具备诸多优势，但传统霍尔效应传感器在灵敏度和信噪比方面仍面临着挑战。为了克服此类局限，研究人员一直在探索方法，以提升传感器性能的同时，控制器件的尺寸和复杂性。
